萬躍鵬表示，硅片主要從晶體質(zhì)量和表面質(zhì)量兩個維度影響了電池轉(zhuǎn)換效率。在晶體質(zhì)量方面，提升方法主要有：提升少子壽命、降低多晶硅片的位錯密度、降低氧濃度、降低碳濃度、收窄電阻率分布等。而在表面質(zhì)量方面，提升方法主要有：控制濕法黑硅制絨片的反射率、加大隱裂檢查、降低表面金屬離子殘留、減少線痕等。
沿著這些路徑，保利協(xié)鑫進行了多種高效產(chǎn)品的研發(fā)，并提供定制化產(chǎn)品解決方案以滿足市場需求。以電阻率這一關(guān)鍵指標為例，保利協(xié)鑫通過RCz多次加料直拉、CCz連續(xù)直拉等技術(shù)，對單晶硅片的電阻率分布范圍進行了差異化控制。相比于業(yè)界主流的RCz技術(shù)，更加先進的CCz技術(shù)氧含量更低且更均勻、金屬雜質(zhì)累積速度更慢，更重要的是其軸向電阻率分布均勻，并且其波動可以控制在10％以內(nèi)。這使得CCz單晶硅片更適用于高效N型和鎵摻雜的P型電池。
在多晶硅片領(lǐng)域，保利協(xié)鑫則憑借先進的成核技術(shù)、高純材料和電阻率優(yōu)化，為更高效率需求提供選擇?；诒＠麉f(xié)鑫金剛線切硅片，疊加RIE干法黑硅和PERC技術(shù)，協(xié)鑫量產(chǎn)的MBB電池轉(zhuǎn)換效率已超過20.8%，組件CTM大于98%。60片組件中，295W以上的比例超過95%；其中300W以上的比例超過56%。
濕法黑硅技術(shù)提供了高效多晶硅片的另一種選擇。保利協(xié)鑫研發(fā)的TS+第二代黑硅片，制絨成本降低約30%，背面拋光工藝并更適用于PERC技術(shù)。通過一系列工藝技術(shù)優(yōu)化，保利協(xié)鑫第二代黑硅片的電池效率增益將于今年提升至0.5%，而組件功率增益也將提升至5W（60片）。
差異化的高效產(chǎn)品還包括鑄錠單晶硅片，保利協(xié)鑫一直在進行該技術(shù)的研發(fā)。萬躍鵬表示，采用鑄錠方法生產(chǎn)的單晶硅片主要優(yōu)勢是成本大大降低。此外，大尺寸硅片、長方形硅片也是重要的發(fā)展方向。157.75mm規(guī)格的大尺寸硅片已應(yīng)用在當前的組件產(chǎn)品中，而更大尺寸的161.75mm硅片可用于MWT組件。保利協(xié)鑫先進的硅片技術(shù)可以滿足高效率、定制化產(chǎn)品的需求。
