項目以實現(xiàn)碳化硅和氮化鎵光伏逆變器的示范應用為最終目標，開發(fā)了低缺陷SiC外延生長技術、攻克了氮化鎵二極管及增強型氮化鎵三極管設計技術、碳化硅二級管及MOSFET關鍵工藝和量產(chǎn)技術、高壓氮化鎵和碳化硅器件高頻驅(qū)動技術、基于氮化鎵及碳化硅電力電子器件的新型光伏逆變器拓撲設計技術等關鍵技術方法。完成了基于GaN和SiC器件的逆變器示范應用，形成對基于寬禁帶電力電子器件新型高效光伏逆變器及并網(wǎng)系統(tǒng)的整體展示。
項目的實施，形成國內(nèi)GaN、SiC大功率光伏逆變器研發(fā)及生產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈，有力地支撐了我國寬禁帶電力電子器件、裝置及相關行業(yè)的技術進步。專家組一致認為，該項目完成了立項通知規(guī)定的研究內(nèi)容及主要考核指標，同意通過驗收。
